MOSFET onsemi NTR4501NT1G, VDSS 20 V, ID 3.2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,77
€ 0,387 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 58 | € 0,387 | € 0,77 |
| 60 - 118 | € 0,364 | € 0,73 |
| 120 - 198 | € 0,311 | € 0,62 |
| 200 - 498 | € 0,293 | € 0,59 |
| 500+ | € 0,282 | € 0,56 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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