MOSFET DiodesZetex ZXM61N02FTA, VDSS 20 V, ID 1,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 9,22
$ 0,369 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 125 | $ 0,369 | $ 9,22 |
| 150 - 725 | $ 0,224 | $ 5,61 |
| 750 - 1475 | $ 0,219 | $ 5,48 |
| 1500+ | $ 0,214 | $ 5,34 |
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1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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