Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
806 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.05mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto