MOSFET Vishay IRF640PBF, VDSS 200 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 59,25
€ 1,185 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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€ 1,185 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,185 | € 59,25 |
| 100 - 200 | € 1,02 | € 50,98 |
| 250+ | € 0,948 | € 47,40 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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