MOSFET de potencia canal N,IRF640

Código de producto RS: 485-9165Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: IRF640
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Altura

15.75mm

Profundidad

4.6mm

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MOSFET de potencia canal N,IRF640

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180 m.Ω

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Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

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10.4mm

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15.75mm

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