N-channel MOSFET,IRF640 18A 200V

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.51mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

15.49mm

Profundidad

4.65mm