Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
$ 0,88
$ 0,441 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
$ 0,88
$ 0,441 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 58 | $ 0,441 | $ 0,88 |
60 - 118 | $ 0,414 | $ 0,83 |
120 - 198 | $ 0,354 | $ 0,71 |
200 - 498 | $ 0,334 | $ 0,67 |
500+ | $ 0,321 | $ 0,64 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto