MOSFET Vishay SUM110P06-08L-E3, VDSS 60 V, ID 110 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1.616,36
€ 2,02 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
800
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
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Altura
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