Transistor MOSFET Vishay SUM110P06-08L-E3, VDSS 60 V, ID 110 A, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3,75 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Profundidad

9.65mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud

10.41mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Taiwan, Province Of China