MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,5 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.55mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 66,35
€ 0,332 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Empaque de Producción (Rollo)
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,332 | € 6,64 |
| 500 - 980 | € 0,311 | € 6,22 |
| 1000 - 1980 | € 0,269 | € 5,39 |
| 2000+ | € 0,224 | € 4,48 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,5 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.55mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
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