MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SOIC de 8 pines

Código de producto RS: 710-3351PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4800BDY-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,7 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.55mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SOIC de 8 pines
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Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,7 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.55mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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