MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SOIC de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Profundidad
4mm
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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N
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6.5 A
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Profundidad
4mm
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Operación
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