MOSFET Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V
Anchura
4mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,62
€ 0,662 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,662 | € 6,62 |
| 100 - 240 | € 0,622 | € 6,22 |
| 250 - 490 | € 0,562 | € 5,62 |
| 500 - 990 | € 0,531 | € 5,31 |
| 1000+ | € 0,497 | € 4,97 |
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,4 nC a 10 V, 7,3 nC a 4,5 V
Anchura
4mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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