Transistor MOSFET International Rectifier IRF7807ZPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SOIC de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,2 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5mm
Series
HEXFET
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.5mm
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N
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11 A
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,2 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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