MOSFET Vishay SI2323DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Anchura
1.4mm
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,78
€ 0,389 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,389 | € 7,78 |
| 200 - 480 | € 0,289 | € 5,77 |
| 500 - 980 | € 0,241 | € 4,82 |
| 1000 - 1980 | € 0,214 | € 4,28 |
| 2000+ | € 0,159 | € 3,18 |
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P
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4.3 A
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Anchura
1.4mm
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
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