Transistor MOSFET Vishay SI2323CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
63 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
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Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
63 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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