MOSFET Vishay IRF9510PBF, VDSS 100 V, ID 4 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,69
€ 0,69 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,69 |
| 10 - 49 | € 0,61 |
| 50 - 99 | € 0,58 |
| 100 - 249 | € 0,55 |
| 250+ | € 0,53 |
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Mejora
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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