Transistor MOSFET VISHAY IRF9510, VDSS 100 V, ID 4 A, TO-220AB de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

43000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud:

10.51mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,7 nC a 10 V

Profundidad

4.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

15.49mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C