MOSFET STMicroelectronics STP140NF75, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,54
€ 3,268 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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