Transistor MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FP, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
16.4mm
Datos del producto
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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Empaque de Producción (Tubo)
1
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
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1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
16.4mm
Datos del producto
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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