MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-2751PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STF13NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

25000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

16.4mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
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100 - 499$ 1,88
500 - 999$ 1,68
1000+$ 1,42

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

25000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

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Longitud

10.4mm

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