Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
15.8mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.8mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,36
€ 4,178 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
15.8mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.8mm
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