MOSFET STMicroelectronics STF12N60M2, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
16.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 42,61
€ 0,852 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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€ 0,852 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,852 | € 42,61 |
| 100+ | € 0,809 | € 40,47 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
16.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
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