MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
MegaFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
131 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
125 nC a 20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 80,96
€ 1,619 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,619 | € 80,96 |
| 100 - 450 | € 1,372 | € 68,58 |
| 500 - 950 | € 1,193 | € 59,66 |
| 1000+ | € 1,158 | € 57,90 |
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Conteo de Pines
3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Si
Número de Elementos por Chip
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Profundidad
4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
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