MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 325-7625PMarca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: RFP50N06
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

MegaFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

131 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

125 nC a 20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Ancho

4.83mm

Material del transistor

Si

Altura

9.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Tipo de montaje

Through Hole

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3

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22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

131 W

Configuración de transistor

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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1

Longitud

10.67mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Ancho

4.83mm

Material del transistor

Si

Altura

9.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.

MOSFET Transistors, ON Semi

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