MOSFET onsemi NTMFS6H818NT1G, VDSS 80 V, ID 123 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
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€ 8,50
€ 1,70 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 8,50
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Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,70 | € 8,50 |
| 50 - 95 | € 1,464 | € 7,32 |
| 100 - 495 | € 1,269 | € 6,35 |
| 500 - 995 | € 1,117 | € 5,59 |
| 1000+ | € 1,015 | € 5,08 |
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123 A
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80 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.8 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
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