MOSFET onsemi NTMFS6H818NT1G, VDSS 80 V, ID 123 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

123 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

3.8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.1mm

Largo

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

País de Origen

Malaysia