Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 2,65
€ 0,106 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 2,65
€ 0,106 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,106 | € 2,65 |
100 - 225 | € 0,091 | € 2,28 |
250 - 475 | € 0,08 | € 1,99 |
500 - 975 | € 0,069 | € 1,73 |
1000+ | € 0,063 | € 1,59 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto