MOSFET onsemi BSS138LT1G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 5,34
$ 0,214 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 0,214 | $ 5,34 |
| 100 - 225 | $ 0,183 | $ 4,59 |
| 250 - 475 | $ 0,159 | $ 3,97 |
| 500 - 975 | $ 0,14 | $ 3,49 |
| 1000+ | $ 0,127 | $ 3,18 |
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
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225 mW
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Single
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-20 V, +20 V
Anchura
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Altura
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