Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Código de producto RS: 167-970Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSS138N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

230 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

PG-SOT-23

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,4 nC a 10 V

Altura

1mm

Profundidad

1.3mm

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Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
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3

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6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

2.9mm

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