MOSFET onsemi 2N7002LT1G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 4,81
€ 0,096 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,096 | € 4,81 |
| 500 - 950 | € 0,045 | € 2,26 |
| 1000 - 2450 | € 0,045 | € 2,26 |
| 2500 - 4950 | € 0,043 | € 2,14 |
| 5000+ | € 0,042 | € 2,08 |
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Montaje superficial
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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