Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 12,62
€ 0,421 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
30
€ 12,62
€ 0,421 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
30 - 145 | € 0,421 | € 2,10 |
150 - 745 | € 0,318 | € 1,59 |
750 - 1495 | € 0,281 | € 1,40 |
1500+ | € 0,25 | € 1,25 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto