MOSFET Infineon IRLS3036TRLPBF, VDSS 60 V, ID 270 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código de producto RS: 130-1027Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRLS3036TRLPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

270 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Series

HEXFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

380 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

91 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.65mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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20 - 48€ 3,086€ 6,17
50 - 98€ 2,875€ 5,75
100 - 198€ 2,671€ 5,34
200+€ 1,929€ 3,86

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