MOSFET Infineon IRLS3036PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

270 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

380 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

91 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.67mm

Profundidad

9.65mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.83mm