MOSFET Infineon IRLS3036TRLPBF, VDSS 60 V, ID 270 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
380 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
91 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.65mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,506 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,506 | € 7,01 |
| 20 - 48 | € 3,086 | € 6,17 |
| 50 - 98 | € 2,875 | € 5,75 |
| 100 - 198 | € 2,671 | € 5,34 |
| 200+ | € 1,929 | € 3,86 |
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270 A
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Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
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