Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
380 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
91 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.65mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
$ 8,22
$ 4,108 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 18 | $ 4,108 | $ 8,22 |
20 - 48 | $ 3,615 | $ 7,23 |
50 - 98 | $ 3,368 | $ 6,74 |
100 - 198 | $ 3,129 | $ 6,26 |
200+ | $ 2,259 | $ 4,52 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
380 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
91 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.65mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.