MOSFET Infineon BSS126H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 17 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

700 Ω

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,4 nC a 5 V

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Series

SIPMOS

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

País de Origen

China