MOSFET Infineon BSS126H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
21 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
SIPMOS®
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
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+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Altura
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