Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
450 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.95mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 4,07
€ 0,814 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 4,07
€ 0,814 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,814 | € 4,07 |
50+ | € 0,69 | € 3,45 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
450 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.95mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto