Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
4.77mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 4,79
€ 0,958 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 4,79
€ 0,958 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,958 | € 4,79 |
50 - 195 | € 0,566 | € 2,83 |
200 - 995 | € 0,496 | € 2,48 |
1000 - 1995 | € 0,421 | € 2,10 |
2000+ | € 0,355 | € 1,78 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
270 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
4.77mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto