Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Tiempo de Subida Típico
2µs
Número de Canales
1
Maximum Light Current
8000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±25 °
Polarity
NPN
Número de Pines
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones
3 x 4.5mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
3mm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Altura
4.5mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW85
La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.
Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
€ 11,17
€ 0,447 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 11,17
€ 0,447 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,447 | € 11,17 |
250 - 600 | € 0,291 | € 7,27 |
625 - 1225 | € 0,268 | € 6,70 |
1250 - 2475 | € 0,245 | € 6,13 |
2500+ | € 0,223 | € 5,58 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Tiempo de Subida Típico
2µs
Número de Canales
1
Maximum Light Current
8000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±25 °
Polarity
NPN
Número de Pines
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
3 mm (T-1)
Dimensiones
3 x 4.5mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
3mm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Altura
4.5mm
Datos del producto
Fototransistores serie BPW85
La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.
Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C