Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Profundidad
9.35mm
Series
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
5
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Profundidad
9.35mm
Series
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm