MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET II
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
115000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,15
€ 1,63 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 8,15
€ 1,63 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,63 | € 8,15 |
| 10+ | € 1,549 | € 7,74 |
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Profundidad
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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