Transistor Darlington, BD677, NPN 4 A, 60 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
60 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
Profundidad
2.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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1
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750
Tensión Base Máxima del Colector
60 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
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Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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Profundidad
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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