MOSFET Vishay SI2304DDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3117PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2304DDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

75 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 84,15

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
500 - 1200€ 0,168€ 8,42
1250 - 2450€ 0,132€ 6,60
2500 - 4950€ 0,12€ 6,02
5000+€ 0,108€ 5,38

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Anchura

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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