Transistor MOSFET Vishay SI2304BDS-T1-E3, VDSS 30 V, ID 2.6 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,6 nC a 5 V, 4,6 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Anchura

1.4mm

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China