MOSFET Vishay IRF740PBF, VDSS 400 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,95
€ 1,95 Each (Sin IVA)
1
€ 1,95
€ 1,95 Each (Sin IVA)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 1,95 |
10 - 49 | € 1,70 |
50 - 99 | € 1,62 |
100 - 249 | € 1,53 |
250+ | € 1,42 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto