N-channel MOSFET,IRF740 10A 400V 50pcs
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
Price on asking
1
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VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm