Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 44,51
€ 0,89 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto