MOSFET STMicroelectronics STP36NF06L, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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