Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,895 | € 17,91 |
100 - 180 | € 0,717 | € 14,34 |
200 - 480 | € 0,681 | € 13,61 |
500 - 980 | € 0,645 | € 12,91 |
1000+ | € 0,609 | € 12,18 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto