MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 100 - 180 | € 0,486 | € 9,73 |
| 200 - 480 | € 0,461 | € 9,23 |
| 500 - 980 | € 0,438 | € 8,75 |
| 1000+ | € 0,413 | € 8,25 |
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P
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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