Transistor MOSFET Vishay SI9435BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 4.1 A, SOIC de 8 pines

Código de producto RS: 699-7354Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI9435BDY-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.55mm

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Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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Tipo de Encapsulado

SOIC W

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Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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