Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington TIP122
STMicroelectronics presenta su gama TIP122 de pares Darlington. Los pares o transistores Darlington son un paquete de dos transistores BJT estándar que se utilizan para amplificar señales débiles de un circuito a otro circuito o microprocesador.
Los dispositivos TIP122 se fabrican en tecnología planar con diseño de "isla base" y configuración Darlington monolítica. Los transistores resultantes muestran un rendimiento de ganancia alto excepcional junto con una tensión de saturación muy baja.
Características y ventajas
- Baja tensión de saturación del colector-emisor
- Transistores NPN -PNP complementarios
Aplicaciones
- Conmutación y lineal de uso general
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 20,83
€ 0,417 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 20,83
€ 0,417 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,417 | € 20,83 |
100 - 200 | € 0,391 | € 19,55 |
250+ | € 0,375 | € 18,77 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington TIP122
STMicroelectronics presenta su gama TIP122 de pares Darlington. Los pares o transistores Darlington son un paquete de dos transistores BJT estándar que se utilizan para amplificar señales débiles de un circuito a otro circuito o microprocesador.
Los dispositivos TIP122 se fabrican en tecnología planar con diseño de "isla base" y configuración Darlington monolítica. Los transistores resultantes muestran un rendimiento de ganancia alto excepcional junto con una tensión de saturación muy baja.
Características y ventajas
- Baja tensión de saturación del colector-emisor
- Transistores NPN -PNP complementarios
Aplicaciones
- Conmutación y lineal de uso general
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.